典型计算机组件不同脉宽瞬时辐射效应研究

摘要：

对程控系统典型组件80C196KC20单片机的不同脉宽瞬时电离辐射效应进行研究,分析了不同脉宽辐射环境下典型组件的闭锁阈值和效应差异,对损伤现象和规律以及损伤机理进行研究。为后续单片机抗辐射加固设计和弹上应用提供技术支持。

关键词： 80C196KC20 微处理器 电离辐射 抗辐射加固 计算机组件

作者: 崔帅 曹雷团 张力 牛振红 刘洪艳 李志峰 薛莲

作者单位: 北京航天长征飞行器研究所,北京9200信箱76分箱6号,100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 174-178

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）