高性能电源芯片瞬时辐射效应初探

摘要：

对TI公司生产的高性能电源芯片TPS54616进行了X、γ瞬时辐射试验,对其辐射效应机理进行了研究,并提出加固措施,为后续高性能电源芯片的应用奠定了基础。

关键词： 电源芯片 瞬时辐射试验 辐射效应 抗核加固

作者: 崔帅 张雪 刘洪艳 刘生东 曹雷团 牛振红 张力

作者单位: 北京航天长征飞行器研究所,北京9200信箱76分箱6号,100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 170-173

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）