中子、γ混合场中电子器件承受辐射剂量的计算与测量

摘要：

本文利用蒙特卡罗方法计算了系统自身辐射源引起的其电子器件承受的γ剂量率、中子注量率,计算了系统内外空间的γ照射量、中子注量,并利用<”6>LiF、<”7>LiF热释光剂量计的”成对”使用,对系统外表面及外部空间处的γ照射量、中子剂量进行了实验测量,对比分析理论计算与实验测量结果,二者吻合较好。

关键词： 混合场 蒙特卡罗 伽马射线辐射 中子注量 热释光剂量计 电子器件

作者: 郭春营 罗永锋 段占元 林源根 吴成迈

作者单位: 第二炮兵装备研究院 北京市清河大楼子6 100085

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 162-166

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）