会议专题

Ni 80Fe20/cu多层膜界面粗糙度对磁电阻的影响

采用磁控溅对方法,在不同溅射气压下制备了具有巨磁电阻效应的Ni 20Fe20/cu金属多层膜。室温下,饱和磁电阻值随着Cu层厚叵的增加呈振荡变化,对应于溅射气压为0.25Pa的样品,在cu层厚度tcu=10A、22A时,磁电阻出现两个峰值·磁电阻分别为194和11.6,溅射气压为0.45Pa的样品,磁电阻分别为11.2℅和1℅。采用同步辐射光源,在cuK吸收边能量位置(8.989KEV)对不同溅射气压下制备的多层膜样品做了X光小角衍射和漫散射实验,标定了界面粗糙度。结果表明多层膜界面的粗糙度对磁电阻有明显的影响。

Ni 多层膜界面 粗糙度 磁电阻

姜宏伟 尹林

科学院物理研究所磁学开放实验室(北京) 科学院北京同步辐射多验室(北京)

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1998-05-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)