不同偏置、不同剂量率下双极晶体管的电离辐射损伤

摘要：

本文研究了NPN型锗硅异质结晶体管TH3356A、NPN型硅双极晶体管2SC3356、3DG120在不同偏置、不同剂量率下的电离辐射损伤.研究表明,TH3356A和3DG120在低剂量率辐照后,电流增益衰减加剧,具有低剂量率增强效应;TH3356A和2SC3356在EB结反偏的情况下辐照,与其他偏置情况辐照相比较,电流增益衰减更为显著.

关键词： 锗硅 SiGeHBTs 电离辐射 双极晶体管

作者: 李达 刘书焕 陈伟 李瑞宾

作者单位: 西北核技术研究所西安市69信箱10分箱,710024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 158-161

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）