MTM反熔丝FPGA抗总剂量探讨

摘要：

本文通过大量FPGA辐射效应调研,以具有代表性MTM反熔丝的FPGA总剂量效应的研究。得到MTM(Metal-To-Metal)反熔丝0.6μm和0.25μm工艺RT54SX的总剂量效应,器件表现出好于1000Gy(Si)的总剂量能力.得出MTM反熔丝工艺结构芯片具有很好的抗总剂量能力。

关键词： MTM反熔丝 总剂量 集成电路 抗辐射加固

作者: 袁国火 詹峻岭

作者单位: 中国工程物理研究院 电子工程研究所,四川绵阳 621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 150-153

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）