INTEL 80C196KC20单片机与国产加固型80C196KC20RHA单片机抗辐射性能比较

摘要：

本文介绍了国产加固型的单片机80C196KC20RHA与INTEL产80C196KC20单片机的抗辐射性能,通过两种单片机系统在”闪光I”和<”60>Co辐照源的对比试验可以看出:该国产加固型的单片机抗电离总剂量的性能在5.88Χ10<”3>Gy(Si)以上,远远高于INTEL的产品,而抗瞬时电离辐射的能力则相差不大.

关键词： 国产加固型 80C196KC20 单片机 抗辐射性能 电离辐射

作者: 詹峻岭 赵刚 徐曦 赵汝清

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳,621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 146-149

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）