抗总剂量辐照加固的PDSOIJ80C51RH微控制器

摘要：

研制成功了辐照加固的8位PDSOI80C51微控制器(单片机)-J80C51RH,其采用intel MCS-51系列微控制器的内核进行设计,功能完全兼容intel MCS-51系列80C51微控制器。J80C51RH由约为11万个MOSFETs组成,采用辐照加固的1.2μm PDSOI CMOS工艺技术制备,其工作频率可达33MHz,经辐照试验证明,该微控制器首次在国内实现抗总剂量辐照能力在1×10<”6>rad(Si)以上,完全可以满足军事及航空航天电子系统的要求。

关键词： PDSOI 总剂量 辐照加固 微控制器

作者: 郭天雷 姜明哲 张英武 袁国顺 许高博 赵发展 刘刚 李多力 毕津顺 海潮和 韩郑生 李素杰

作者单位: 中国科学院微电子研究所,北京 100029 北京中科微电子技术有限公司,北京 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 141-145

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）