不同应用状态下80C196KC单片机γ总剂量效应异同性研究

摘要：

本文以intel公司生产的80C196KC20为主要试验件,分别在程控计算机系统和单片机测试系统上进行γ总剂量试验,比较两系统之间的总剂量损伤差异,进一步探讨80C196KC20的总剂量损伤效应。

关键词： 80C196KC 单片机 总剂量效应 抗辐射加固

作者: 曹雷团 崔帅 牛振红 李志峰 张力

作者单位: 北京航天长征飞行器研究所,北京9200信箱76分箱6号,100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 137-140

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）