SiGe HBT伽马辐照效应研究

摘要：

文中对SiGe异质双极晶体管(HBT)室温条件下的伽马辐照效应进行了研究.研究结果表明,伽马辐照总剂量达到1.0×10<”6>rad(Si)时,其直流电流增益极大值的减小量不超过8％,表现出了良好的抗伽马辐照特性。其电流增益的减小主要是集电极电流的减小引起的,而不像其它文献那样是由于基极电流的增加产生的。文中同时研究了辐照时偏置条件对器件辐照特性的影响,发现辐照时的偏置条件对SiGe HBT器件的辐照效应影响不大.文中对实验现象进行了分析和讨论。

关键词： SiGe HBT 双极晶体管 总剂量效应 伽马射线辐射

作者: 杨晨 程兴华 龚敏 石瑞英 刘伦才 谭开洲

作者单位: 四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都,610064 四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都,610064 微电子技术四川省重点实验室,成都,610064 模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 130-132

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）