偏置条件对硅NPN晶体管伽马辐照效应的影响

摘要：

本文对硅NPN双极晶体管(C2060)室温下不同集电极偏置电流(Ic)条件下伽马辐照的总剂量效应进行了研究。结果表明,在不同的偏置电流下辐照,NPN晶体管的退化程度有较大的差异,在相同的辐照总剂量下随着辐照时集电极偏置电流的增加,晶体管的辐照损伤程度却在减轻。文章对空间电荷模型进行了修正,并结合边缘电场模型讨论了产生这种实验现象的物理机理。

关键词： 双极晶体管 NPN晶体管 集电极偏置电流 总剂量效应 电偶极子 空间电荷模型

作者: 程兴华 王健安 杨晨 郭丰 刘伦才 蒲林 龚敏 石瑞英

作者单位: 四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都,610064 模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060 四川大学物理科学与技术学院微电子学系,成都,610064 微电子技术四川省重点实验室,成都,610064

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 126-129

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）