偏置条件对功率MOS场效应晶体管总剂量辐射性能的影响

摘要：

用钴-60γ射线对功率MOS晶体管进行辐照实验,研究了器件阀值电压、漏源击穿电压、截止漏电流等电参数在不同偏置条件下的退化规律.对实验结果进行了分析讨论.实验表明,在相同辐射剂量率和累积总剂量条件下,不同的偏置条件器件辐照损伤不同。

关键词： 电离辐射效应 功率MOS晶体管 总剂量辐射 偏置条件

作者: 孟猛 于庆奎 朱恒静 张海明 孙吉兴

作者单位: 中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心,北京市 9832信箱 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 120-125

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）