砷化镓集成电路辐照试验研究
砷化镓集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各种领域,尤其是航天航空方面.但电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,我所在对对单管器件进行了辐照试验,获得可靠的试验结果,改进电路的制作方法,提高电路的抗辐射能力的基础上,对3BitGaAs加权相加电路进行了全面的抗辐射技术研究,从该电路设计到工艺制造和测试整个过程,进行了全面的抗辐射技术研究.本文主要对该电路进行中子、γ总剂量和γ剂量率辐照试验研究,试验结果表明,该电路除了抗中子、γ总剂量外,还有较好的抗γ剂量率的能力。
砷化镓 集成电路 抗辐射能力 辐射效应
田国平 王文君 朱思成 白元亮
中国电子科技集团公司第十三研究所 砷化镓工程专业部,石家庄市179信箱35分箱,050051
国内会议
重庆
中文
117-119
2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）