抗辐射VDMOS的研制

摘要：

本文论述了抗辐射VDMOS产品的研制。为提高VDMOS器件的抗γ总剂量辐射要求,在版图设计和工艺设计时考虑了降低影响器件的抗γ总剂量能力的因素,通过抗辐射设计和工艺加固,使得VDMOS器件的抗γ总剂量辐射能力达到3E5rad(Si)。

关键词： VDMOS 抗γ总剂量 抗辐射加固

作者: 刘存生 吴娟

作者单位: 航天时代电子公司第七七一所,西安,710054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 108-111

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）