不同剂量率下MOSFET的电离辐照效应

摘要：

对MOSFET在不同剂量率条件下的电离辐照效应进行了研究。结果显示:在实验的剂量率和总剂量范围内,在各种剂率辐照下,NMOS管和PMOS管的阈电压都出现负漂,且随辐照总剂量的增加而增大;在相同的总剂量时,PMOS管的低剂量率辐照时的阈电压漂移更显著,而NMOS管的则正好相反。

关键词： MOSFET 电离辐照 数字集成电路 阈电压漂移

作者: 张华林 陆妩 任迪远 余学峰 郭旗

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 87-90

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）