不同总剂量辐射条件下的高速CMOS电路时间参数退化特性及其机理研究
本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量率,不同辐照偏置)下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究,并对其辐照退化及失效机制进行了探讨,取得了一些有价值的研究结果。
时间特性 总剂量辐照 辐照损伤 CMOS
余学峰 艾尔肯 陆妩 郭旗 任迪远
中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐北京南路40-1号,830011
国内会议
重庆
中文
83-86
2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）