热载子注入和总剂量辐射复合条件下的MOS结构损伤

摘要：

本文对A1/SiO<,2>/Si系统MOS电容分别在总剂量辐照和热载子注入下的损伤和电参数响应特性进行了比较,并通过对MOS结构进行不同顺序的热载子注入和总剂量辐照复合损伤试验,探讨了热载子损伤和电离辐射损伤的相互作用关系及其对电参数的影响,取得了有意义的结果和结论。

关键词： MOS结构 热载子注入 总积量辐射 复合损伤 MOS器件

作者: 余学峰 任迪远 陆妩 郭旗 范隆 艾尔肯

作者单位: 中科院新疆理化技术研究所,乌市北京南路40-1号,邮编 830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 78-82

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）