抗辐射128K PDS0I静态随机存储器

摘要：

在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的128K静态随机存储器的抗总剂量率(TID)水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45x10<”11>rad(Si)/s。本文重点介绍该抗辐射SRAM在加固方面的设计方法,并给出其封装后的电学及辐照测试结果。

关键词： 部分耗尽 绝缘体上硅 PDSOI 静态随机存储器 SRAM 加固设计

作者: 赵凯 刘忠立 于芳 高见头 肖志强 洪根深

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京 100083 传感器技术国家重点实验室 中国电子科技集团第58研究所,江苏无锡 214035

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 70-73

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）