优良的抗辐射非易失存储器─S0I基的MRAM

摘要：

本文介绍巨磁阻效应的机理及同CMOS集成构成MRAM的工作原理,在指出MRAM同各种半导体存储器相比具有一系列优点的同时,给出优良的抗辐射非易失存储器-SOI基MRAM的构想。

关键词： 巨磁阻效应 磁隧道结 非易失存储器 磁随机存储器

作者: 刘忠立

作者单位: 中国科学院半导体所,北京912信箱,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 61-65

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）