光电耦合器件中子辐照损伤研究

摘要：

比较不同工艺光电耦合器件抗中子辐照能力的大致情况,分析器件中子位移损伤存在差异的原因。试验研究表明,低输入电流、高电流传输比率的光电耦合器件有较强的抗中子辐照能力。该结论可为今后提高武器电子学系统抗中子辐射水平提供参考.

关键词： 光电耦合器件 中子辐射损伤 辐射辐照

作者: 周开明 杨有莉 李小伟

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳,621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 46-49

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）