过程信息处理系统中子辐射效应研究

摘要：

本文从数字电路中子损伤机理分析入手,针对抗辐射性能需求,围绕信息处理系统设计了辐照测试系统,主要测试信息处理系统在中子混合场辐照环境下工作的稳定性和可靠性,经过试验研究,对信息处理系统中子位移效应有了基本的了解,分析系统的薄弱环节,为以后辐照防护研究奠定了基础。

关键词： 过程信息处理系统 中子辐照 位移效应

作者: 刘生东 崔帅 刘洪艳 曹雷团 李志峰 牛振红 张力

作者单位: 北京航天长征飞行器研究所,北京9200信箱76分箱6号,100076

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 41-45

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）