平面工艺Si核辐射探测器的研制
用平面工艺制备核探测器,最早出现差不多与面垒工艺同时,但由于当时单晶硅材料和半导体工艺水平的限制,使它从出现以后的20年间未能引起人们的重视。直到80年代初,德国慕尼黑大学的J.Kemmer教授充分利用当时制备半导体MOS器件的工艺成就,解决了一些关键性的工艺难题,使核辐射探测器的性能提高到一个崭新的水平。有关发达国家利用该技术成功地制造出带电粒子探测器、γ-X射线探测器、位置灵敏探测器、Si微条探测器等,还促进了CCD器件,蓝光、紫外光探测器及其它一些光电器件的发展。本文论述了平面工艺技术制备半导体探测器的主要工艺以及平面工艺制备Si核辐射探测器种类。
平面工艺 硅核探测器 制备工艺
谭继廉 靳根明 段利敏 卢子伟 袁小华 田大宇 宁宝俊 王玮 张录
中国科学院近代物理研究所 兰州 730000 北京大学微电子所 北京 100871
国内会议
太原
中文
153-160
2006-08-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）