实现关键层1um到0.8um光刻工艺改进的研究
(0) 当前,芯片制造技术日新月异,已达到纳米级。根据摩尔定律,可以进一步缩小其最小线宽。但是,另一方面,由于半导体生产线(特别是光刻机等设备)造价高昂、投入巨大、投产周期长等原因,如何在现有设备和生产条件下改进其工艺将是一个非常现实的问题。通过解决这个问题,不仅可以延长设备的使用寿命、提高其产出、提升其价值,而且可以为进一步研究更为先进的生产工艺摸索条件。本文正是基于实际生产的背景,围绕芯片制造过程中最为关键的光刻工艺,实现了从1um到0.8um的光刻工艺的改进,并通过SPC理论分析了工艺的稳定性。
光刻工艺 匀胶转速 半导体生产线
张扬 王丹 康剑 孙伟
西南交通大学信息科学与技术学院 610031 深圳深爱半导体有限公司 518028
国内会议
成都
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686-690
2007-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）