VDMOS器件抗辐照性能的1/f噪声表征研究
针对可用于航空航天的DC/DC转换器中的VDMOS器件(VerticalConduction Double Scattering Metal OxideScmiconductors)的抗辐照性能做了简单的研究。VDMOS器件传统的表征参量是用电参数,阈值电压、跨导和漏电流是表征VDMOS器件的主要参量,也是对电离辐照敏感的参量。研究MOSFET器件(包括VDMOS)的辐照效应最常采用的办法是研究其阈值电压的漂移、跨导的降低和漏电流的增大。当前国际上通用的和先进的检测方法是1/f噪声无损检测技术,即通过测试器件在辐照前后1/f噪声幅值的变化来对其抗辐照性能做表征研究,其中很少有对γ值的关注和研究。本文首次结合实验,对VDMOS器件在辐照前后的γ值做了研究,结合γ值的物理意义,简要说明了在辐照前后,器件发生了明显的辐照效应。
1/f噪声 转换器 VDMOS器件 抗辐照性能
王党会 杜磊 包军林 刘宇安
西安电子科技大学技术物理学院 陕西西安 710071
国内会议
西安
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356-358
2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）