SOI SRAM测试研究

摘要：

SOI(绝缘体上硅)静态存储器与用传统体硅技术制造的SRAM有着不同的特性,在测试SOI SRAM时需要考虑其特有的故障模型。基于读写过程中影响比较显著的浮体效应和寄生双极管效应的讨论,分析了部分耗尽SOI SRAM的设计和测试考虑,并提出了相应的测试码。

关键词： 绝缘体上硅 静态存储器 故障模型 测试码 浮体效应 寄生双极管效应

作者: 赵琳娜 潘培勇 陶建中

作者单位: 江南大学信息工程学院 江苏无锡 214036 中国电子科技集团第五十八研究所 江苏无锡 214035

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十二届全国青年学术年会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 346-348

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）