几种SiC刻蚀方法的刻蚀速率

摘要：

在简单介绍了刻蚀SiC的几种方法的基础上重点讨论PE技术,RIE技术,ECR技术,ICP技术中对于SiC刺蚀速率的影响因素。通过前人所做的实验得出,刻蚀速率的影响因素主要是产生等离子体的刻蚀气体,通入的气体组分比,气体流速,反应室内的压力,衬底偏压,射频功率,刻蚀时间,温度等。不同的条件下刻蚀速率不一样。为得到最大刻蚀速率,目前使用ICP刻蚀方法最好。

关键词： 碳化硅 PE技术 RIE技术 ECR技术 ICP技术 刻蚀速率 刻蚀方法

作者: 徐俊平 杨银堂 贾护军

作者单位: 西安电子科技大学 微电子学院 陕西西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十二届全国青年学术年会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 324-328

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）