会议专题

多指功率GeSi HBTs的非等值发射极镇流电阻优化设计

微波功率GeSi HBTs(Heterojunction Bipolar Transistors,异质结双极晶体管)经常采用多指结构,通常每指上采用等值的发射极镇流电阻来提高器件的热稳定性。自热和指间的热耦合效应,使热分布不均匀,所以等值的发射极镇流电阻设计并不是最佳设计。我们发现,采用非等值的发射极镇流电阻结构,可以有效地改善器件温度分布的均匀性,并在一定程度上降低器件的最高温度,提高其热稳定性。

微波功率 异质结双极晶体管 镇流电阻 热稳定性

邱建军 张万荣 高攀 杨经伟 金冬月

北京工业大学 电控学院 北京 100022

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中国电子学会第十二届全国青年学术年会

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2006-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)