深亚微米高速D/A转换器设计

摘要：

采用深亚微米工艺设计了一种基于R～2R梯形电阻网络的D/A转换器。为该DAC设计了高性能的模拟开关和运算放大器。由于模拟开关消除了电荷注入和时钟馈通效应,因此提高了精度。而500MHz单位增益带宽的运算放大器保证了DAC的高速应用。设计采用0.18μm CMOS工艺务件,用Spectre软件在3.3V供电下进行了模拟仿真,结果表明DAC的建立时间小于10ns。

关键词： 金属氧化物半导体 深亚微米 DAC设计 建立时间

作者: 刘成 冯哲 孟昊 侯立刚

作者单位: 北京工业大学集成电路与系统实验室 北京 100022

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十二届全国青年学术年会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 284-286

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）