n-SiC欧姆接触的研究进展

摘要：

在比较已报道的n型SiC欧姆接触数据的基础上,着重介绍了Ni接触的反应机理及其在包装中存在的问题。此后又介绍了一些其他金属与n-SiC形成的欧姆接触,反映了n型SiC欧姆接触发展现状,多种不同的表面处理、掺杂方式和金属结构被用来制备性能良好的接触。

关键词： n-SiC欧姆接触 Ni接触 金属结构 掺杂

作者: 张娟 柴常春 杨银堂 贾户军

作者单位: 西安电子科技大学 微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 陕西西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十二届全国青年学术年会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 246-249

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）