LPCVD多晶硅薄膜成膜质量分析与控制

摘要：

介绍了低压化学气相淀积多晶硅薄膜的制备原理与工艺,对多晶硅成膜质量进行了详细的分析,分析多晶硅薄膜片內均匀性、片间均匀性、局部发雾和整体发雾、氧沾污产生的具体原因,并分别给出了避免这些不利因素的控制措施。优化工艺参数,制备出均匀平整的多晶硅薄膜。

关键词： 低压化学气相淀积 多晶硅薄膜 氧沾污 均匀性

作者: 谭刚 李仁锋

作者单位: 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川绵阳 621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十二届全国青年学术年会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 231-232,235

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）