正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层特性的影响

摘要：

铝合金中Si的存在对微弧氧化放电过程有不利影响,ZAlSi12中Si含量较高,其微弧氧化过程的基本规律不同于其它铸造铝合金。因此,研究电压、氧化时间对于ZAlSi12合金表面微弧氧化过程的影响规律,对于获得良好的陶瓷表面层具有重要意义。通过对ZAlSi12微弧氧化采取不同的电压及氧化时间来研究这两种因素对陶瓷层厚度的影响规律。采用XRD进行分析陶瓷层的相组成。研究结果显示,电压为440V/120V时,陶瓷层性能最佳,膜层厚度达到169μm;综合考虑能耗与实际应用因素,氧化时间采用48min。

关键词： 铝合金 ZAlSi12 微弧氧化过程 正向电压 氧化时间

作者: 吕凯 刘向东 池波 张雅萍 张静 刘晓丽 乌迪

作者单位: 内蒙古工业大学材料科学与工程学院 内蒙古呼和浩特 010051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国21省(市、自治区)、4市铸造学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 239-242

在线出版日期: 2007-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）