射频大功率LDMOS跨导特性分析

摘要：

射频大功率LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)以其高工作频率和高性价比而得到广泛的应用.而跨导决定射频LDMOS性能的重要静态参数之一,本文针对射频大功率LDMOS的跨导模型进行了深入的研究.首先分析了射频大功率LDMOS中的电子运动規律,指出在射频大功率LDMOS中沟道和漂移区均可能出现电子速度饱和;在此基础上推导射频大功率LDMOS的跨导模型;最后,通过与实芯片测试结果的比较,验证了该模型适用性,并讨论了该模型的相关性质.

关键词： 射频大功率 LDMOS 跨导模型 电子速度饱和 芯片测试

作者: 池雅庆 贺元启 王耀 方粮

作者单位: 国防科技大学计算机学院 长沙 410073 浙江省能源集团公司 杭州 310006

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届计算机工程与工艺全国学术年会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 303-305,272

在线出版日期: 2006-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）