0.1 8微米CMOS工艺IO单元设计
IO是芯片内外沟通的桥梁,对芯片的性能和可靠性的影响非常之大。本文从电平转换、输出、输入、ESD保护等四个方面讨论IO设计相关问题。在深入分析的基础上,采用改进的级联电压开关逻辑结构,提高输出电平转换的速度;采用自定时技术和源极跟随技术设计偏斜控制电路,减小输出斜率;应用栅极耦合NMOS结构作为ESD保护结构,并从全局的角度采取措施提高整个系统的ESD保护能力。并且在0.18微米CMOS工艺下,最终设计实现了一个IO库。模拟验证结果表明,IO单元能够满足项目的设计要求。
CMOS工艺 电平转换电路 偏斜控制电路
赵振宇 郑国明 王丽萍 陈安安
国防科技大学计算机学院长沙410073
国内会议
合肥
中文
241-243
2007-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）