混成式InSb焦平面器件的湿法倒角技术研究

摘要：

针对焦平面器件在抛光过程中出现的崩边和深划伤问题,通过分析采用了湿法倒角工艺,并进行了倒角可行性试验、倒角对电极的影响和对电路连通性的影响等实验。结果表明,用湿法倒角技术不仅使InSb边缘没有尖锐的角,并且对器件的电性能没有影响,抛光后可q得到高光洁的表面,最终得到性能良好的焦平面器件。

关键词： 焦平面器件 抛光过程 湿法倒角 混成式InSb

作者: 徐淑丽 王海珍

作者单位: 中国空空导弹研究院,河南洛阳 471009

会议类型: 国内会议

会议名称: 2007年光电探测与制导技术的发展与应用研讨会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 526-528

在线出版日期: 2007-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）