温度对射频反应磁控溅射制备氧化锆薄膜结构和性能的影响

摘要：

利用射频反应磁控溅射在显微玻璃和单晶硅片上沉积氧化锆薄膜。薄膜厚度大约为100～200nm。主要研究了温度对薄膜相结构和O//Zr、透射率的影响。研究发现，温度升高，非晶相减少，结晶相增多；晶粒尺寸增大；O/Zr比变化复杂；透射率下降。

关键词： 氧化锆薄膜 磁控溅射 相结构 透射率

作者: 刘建华 赵莎 徐可为

作者单位: 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室，陕西西安，710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届中国西安纳米科技研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 219-224

在线出版日期: 2003-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）