会议专题

硅基碳纳米管厚膜的制备及其场发射研究

本文研究了用涂敷法制备碳纳米管(CNT)厚膜的制备和场发射特性,裂解法获得的碳纳米管与玻璃粉等混合、研磨,直接涂敷在Si基底上,二极管结构测量的结果表明,碳纳米管厚膜有较低的开启电场(1.0~1.5 v/μm),场强为5V/μm时,电流密度达到了50μA/cm2。该工艺的烧结过程应控制好,加热时间稍长会使CNT厚膜的场发射性能很快下降,时间过长会使CNT处在厚膜表面之下,无法有效发射电子。浆料中的玻璃粉比例增大时,碳纳米管阴极的场发射性能会有所降低。

碳纳米管厚膜 涂敷法 粘结剂 场发射阴极

王琪琨 朱长纯 史永胜

西安交通大学电子与信信息工程学院,陕西西安 710049

国内会议

第二届中国西安纳米科技研讨会

西安

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141-145

2003-11-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)