SiC-SiO2纳米复合薄膜的光致发光特性研究

摘要：

利用射频(RF)共溅射的方法在n-Si(111)衬底上，以SiO2为主靶，上面放置不同数量的Si片和石墨片，沉积出掺杂氧化物SiC复合薄膜，随后在不同温度下进行退火处理，并研究了其光致发光谱和光激发谱。不同C含量的样品在450nm和580nm附近均得到不同强度的发光峰，主要来自于Si、C注入后引起的基质成键变化而带来的氧空位缺陷和Si晶粒，对于C含量较高的样品在580nm处观察到黄光发射则与C团簇有关。利用FTIR和XRD表征了复合膜的结构，UV-VIS分光光度计表征了复合膜的透射吸收特征。

关键词： 纳米复合薄膜 二氧化硅 碳化硅掺杂 光致发光

作者: 张静 王印月 刘雪芹 徐大印

作者单位: 北方工业大学信息工程学院微电子中心 100041 兰州大学物理系 730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届中国西安纳米科技研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 128-130

在线出版日期: 2003-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）