半导体纳米结构的可控生长
在分子、原子或纳米尺度水平上实现半导体纳米结构的可控生长，研制基于量子力学效应的、性能优异的新型量子器件和电路，是纳米科学与技术研究的一个极其重要组成部分，也是目前国际上材料科学家与工程技术专家追求的目标。纳米器件的研究水平和应用程度标志着一个国家纳米科学技术的总体水平，各国政府都很重视。首先，对半导体纳米结构，特别是一维量子线、零维量子点及其量子线、量子点超晶格结构的生长制备技术作简单地介绍。其次，以实验室的工作为基础，讨论如何应用分子束外延(MBE)技术，SK生长模式，通过对所研究的半导体异质结构材料体系，如In(Ga)As/GaAs，InAlAs/AlGaAs/GaAs，In(Ga)As/InAl(Ga)As/InP等的应变分布设计、生长动力学控制和生长工艺优化等理论分析和实验研究，实现对半导体量子线、量子点及其量子线、量子点超晶格结构的初步可控生长，并对某些特殊的纳米结构可能的形成机制进行探讨。最后，将扼要介绍半导体纳米结构器件的研究进展，并展望其在纳米电子学、纳米光电子学和固态量子计算等方面的应用前景。
半导体纳米结构 一维量子线 零维量子点 可控生长
王占国
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室 北京912信箱，北京，100083
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2003-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）