密度泛函方法研究NiSin(n=1-6)团簇

摘要：

运用杂化密度泛函理论在(U)B3LYP/LanL2DZ水平上对NiSin(n=1-6)团簇的各和起始几何构型进行了优化计算，确定了NiSin(n=1-6)团簇的基态几何构型，并讨论了它们的分裂能，自然布居，自然电子构型，Mulliken原子净布居及重叠布居等：发现分裂能D(n,n-1)中D(2,1)最大，说明NiSi2是NiSin(n=1-6)中最稳定的团簇结构，与实验结果相符。计算结果表明Ni失去电荷。另外，在最稳定NiSin(n=1-6)团簇中，电子从Ni向Si转移，并且Ni-Si重叠布局为正，增强团簇的稳定性。

关键词： 团簇几何构型 密度泛函 分裂能 Mulliken 原子净布居

作者: 李锋 任兆玉 郭平 韩聚广

作者单位: 西安 西北大学光子所 710069，陕西；商洛师专 726000 西安 西北大学光子所 710069，陕西 合肥 中国科学技术大学国家同步辐射实验室 230026

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届中国西安纳米科技研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 299-305

在线出版日期: 2003-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）