新型MOS晶体管式压力传感器

摘要：

在应力作用下,MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化.基于MOS晶体管的这种力敏效应,采用晶体管和电阻构成压敏电桥,提出了一种新型的MOS晶体管式压力传感器.该器件在与目前最常用的压阻式压力传感器相比,继承了其制作工艺简单、稳定性和线性度好等优点,大幅提高了传感器灵敏度并降低了功耗,使得器件性能得到整体提高.

关键词： 力敏效应 MOS晶体管 灵敏度 功耗 压力传感器

作者: 张艳红 刘理天 张兆华 谭智敏 林惠旺

作者单位: 清华大学,微电子学研究所,北京,100084

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 225-227,234

在线出版日期: 2007-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）