低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究
在硅片上制备结构为Ta/NiFeCr/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,并最终制成了一组基于此自旋阀结构的GMR磁传感器芯片.利用弱磁场下的退火工艺,改变薄膜易磁化轴的方向,当退火温度为150℃、外加磁场为120 Oe时,GMR芯片的矫顽力可以降至0.2 Oe以下.同时建立了一种自旋阀自由层的单畴模型,用以解释这一退火效应.利用Matlab计算GMR芯片的Meff-H曲线,所得到的计算结果与实验结果一致.所以,自旋阀自由层易磁化轴的方向与GMR磁传感器的性能有着密切的关系.
巨磁电阻传感器 自旋阀 矫顽力 退火效应 单畴模型
刘鹏 李伟 叶双莉 任天令 刘理天
清华大学,微电子学研究所,北京,100084
国内会议
北京
中文
216-218
2007-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）