高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制

摘要：

分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计,以达到提高响应度的目的.采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度.结果显示,器件的光谱响应范围为1000～1600 nm,在1500 nm激光的辐照下,5 V反向偏压时器件的响应度可达0.95 A/W以上.

关键词： 光电探测器 光响应度 铟镓砷/磷化铟 InGaAs材料 InP材料

作者: 王承栋 杨集 冯士维 张跃宗 庄四祥 张弓长

作者单位: 北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022 中国科学院,电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 196-197,209

在线出版日期: 2007-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）