耐高温SOI结构压力敏感芯片的研制

摘要：

如何制作与生产适宜高温环境下应用的压力传感器,一直备受关注.在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了芯片.电桥采用1 mA恒流源供电,在300℃下,满量程输出≥180 mV,灵敏度为30～40 mV/(mA·MPa),非线性≤1‰FS,重复性≤1％oFS。与常温测试结果相比,300℃高温下,敏感芯片的静态性能没有明显差异.

关键词： 高温压力传感器 SOI结构 压力敏感芯片 MEMS工艺

作者: 李新 庞世信 徐开先 孙承松

作者单位: 沈阳工业大学,信息科学与工程学院,沈阳,110023;沈阳仪表科学研究院,沈阳,110043 沈阳仪表科学研究院,沈阳,110043 沈阳工业大学,信息科学与工程学院,沈阳,110023

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 172-173,182

在线出版日期: 2007-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）