磁控溅射法制备WO3薄膜及其氢敏特性研究

摘要：

采用直流反应磁控溅射法,在未抛光的Al2O3基片上制备WO3薄膜,在干燥空气中经过热处理;利用SEM观察薄膜表面形貌;通过XRD测量,对薄膜的晶体结构进行分析;薄膜氢敏特性测试采用静态配气法.经过400℃热处理,当工作温度在270 ℃时,对体积分数为3×10-4℃H2的灵敏度达到了77,稳定性较高、选择性好、响应时间在15 s以内.WO3薄膜是一种较理想的氢敏材料,在氢敏传感器的设计中必定会得到足够的重视和广泛应用。

关键词： 磁控溅射法 氧化钨薄膜 氢敏材料 氢敏传感器

作者: 胡明 冯有才 尹英哲 陈鹏

作者单位: 天津大学,电子信息工程学院,天津,300072 天津大学,电子信息工程学院,天津,300072;金策工业大学,电子信息工程学院,朝鲜,平壤

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 102-104

在线出版日期: 2007-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）