n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究
主要对n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触在高温下(500℃)的特性进行了研究,发现在所测温度范围内,接触电阻率随测量温度的升高呈现出增加的趋势,接触开始退化.同时分析研究了在不同高温、不同时间范围内(24 h)欧姆接触高温存储前后的变化,分析发现对于温度不高于500℃、在24 h内存储温度升高,接触电阻率增加.当样品被施加500℃,24 h的热应力后,其接触电阻率表现出不可恢复性增加.通过X射线衍射能谱分析了高温前后欧姆接触内部结构的变化机理,经过500℃的高温后,Ti层原子穿过Al层与Ni层原子发生固相反应.
欧姆接触 接触电阻率 X射线衍射能谱 氮化镓
张跃宗 冯士维 张弓长 王承栋
北京工业大学,电控学院可靠性物理实验室,北京,100022
国内会议
北京
中文
72-75
2007-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）