Cl2/Ar/BCl3 ICP刻蚀AlGaN的研究
感应耦合等离子体(ICP)刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比了ICP与RIE,ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上,采用Ni作为掩膜,Cl2/Ar/BCl3作为刻蚀气体,对金属有机化学气相淀积生长的n-Al0.45Ga0.55N进行了ICP刻蚀研究.刻蚀速率随着ICP直流偏压的增加而增加,刻蚀速率随着ICP功率的增加先增加较快后增加缓慢.最后结合刻蚀表面的扫描电镜(SEM)分析和俄歇电子能谱(AES)深度分析对刻蚀结果进行了讨论.分析表明,在满足刻蚀表面形貌的同时,较低的直流偏压下刻蚀速率较慢,但损伤较小,这对于制备高性能的紫外探测器是有利的.
感应耦合等离子体 铝镓氮 扫描电镜 俄歇电子能谱
陈亮 亢勇 朱龙源 赵德刚 李向阳 龚海梅
中国科学院,上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083 中国科学院,半导体研究所,北京,100083
国内会议
北京
中文
7-9
2007-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）