硅晶圆CMP抛光速率影响因素分析

摘要：

化学机械抛光(CMP)技术是半导体工艺中不可缺少的重要工艺.针对硅晶圆CMP平坦性问题,系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响,从中找到它们之间的优化参数,减少CMP工艺中的表面划伤、抛光雾、金属离子沾污,清除残余颗粒,保证硅晶圆的平坦化质量。

关键词： 半导体工艺 单晶硅 化学机械抛光 平坦化

作者: 谭刚

作者单位: 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国敏感元件与传感器学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1-2,6

在线出版日期: 2007-08-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）