热处理制备Cr2O3-石墨插层化合物的研究
以三氧化铬(CrO3)与石墨为原料,利用真空热处理方法制备了三氧化二铬(Cr2O3)石墨的插层化合物(GICs).运用X射线衍射(XRD)分析石墨插层化合物.结果表明:经热处理后,在1400℃时CrO3与石墨形成了纯5阶的石墨的插层化合物.XRD分析表明,对网状层面结构的天然石墨,可以利用物理的方法使一些非碳反应物(原子、分子、离子、或粒子团)插入石墨层间,从而改变石墨的层面结构,使产物出现新的物理性质和化学性质.X射线光电子能谱(XPS)分析和表征了Cr离子以3价的形式存在于石墨插层化合物中.
石墨 插层化合物 热处理 三氧化铬
张艳 刘旭光 许并社
太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西,太原,030024;太原理工大学材料科学与工程学院,山西,太原,030024 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西,太原,030024;太原理工大学化学化工学院,山西,太原,030024
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大连
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302-305
2007-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)