Kink效应对低温CMOS读出电路的影响

摘要：

在深低温下(T＜50K),CMOS器件会出现Kink效应,即Ⅰ-Ⅴ特性曲线会发生扭曲.当漏源电压较大时(Vds＞4V),漏电流突然加大,电流曲线偏离正常的平方关系。本文通过实验表明,Kink效应对CMOS读出电路中的一些电路结构产生较严重的影响,Kink效应会导致源跟随器输出产生严重的非线性，对于共源放大器和两级运放,Kink效应会使其增益产生非线性。本文针对影响低温读出电路性能的Kink效应进行了分析和研究,提出了在低温CMOS读出集成电路设计中如何解决这些问题的方案。

关键词： 红外探测器 CMOS器件 低温效应 电路设计

作者: 刘文永 冯琪 丁瑞军

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届全国先进焦平面技术研讨会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 990-992

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）