AlN外延薄膜的生长和特征

摘要：

本文研究了AlN薄膜的晶体质量、表面形貌、应力等性质与AlN生长工艺的依赖关系。通过对低温成核厚度、成核温度和高温生长AlN所用Ⅴ/Ⅲ比的研究,制备出了具有较好晶体质量的AlN薄膜。高分辨三晶X射线衍射给出AlN薄膜的(002)和(105)的半高宽分别为16.9arcsec和615arcsec,接近国际上报道的较好结果。原子力显微镜对表面形貌的分析表明AlN薄膜的粗糙度为5.7nm。拉曼光谱表明E2(high)模向高能方向移动,说明蓝宝石上外延的AlN薄膜处于压应变状态。光学吸收谱在204nm处具有陡峭的带边吸收,也表明了AlN外延薄膜具有较好地晶体质量。

关键词： 半导体薄膜 薄膜生长 低温成核 薄膜形貌

作者: 张洁 彭铭曾 朱学亮 颜建锋 郭丽伟 贾海强 陈弘 周均铭

作者单位: 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届全国先进焦平面技术研讨会

会议地点: 桂林

会议语种:中文

页码: 974-976

在线出版日期: 2007-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）